品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
功率:2W€4.2W
ECCN:EAR99
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: