首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    工作温度
    漏源电压
    12V
    栅极电荷
    行业应用
    品牌: VISHAY
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 12V
    栅极电荷: 65nC@10V
    当前匹配商品:30+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订30000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订30000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧