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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB441EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@6V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：25.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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输入电容：1180pF@6V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
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输入电容：1180pF@6V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：25.5mΩ@4A，4.5V
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规格型号(MPN)：SI1442DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
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阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：SIB441EDK-T1-GE3
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功率：2.4W€13W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@6V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：25.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
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阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
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功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@8V
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输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
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输入电容：1180pF@6V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：25.5mΩ@4A，4.5V
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阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
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连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：25.5mΩ@4A，4.5V
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导通电阻：25.5mΩ@4A，4.5V
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输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
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输入电容：1180pF@6V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：25.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
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功率：1.56W€2.8W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIB441EDK-T1-GE3
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功率：2.4W€13W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@6V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：25.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：SI1442DH-T1-GE3
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功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1442DH-T1-GE3
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功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@8V
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输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
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功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1442DH-T1-GE3
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功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@8V
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输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
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导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：SI1442DH-T1-GE3
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功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@8V
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输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：SI1442DH-T1-GE3
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功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@8V
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输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：SI1442DH-T1-GE3
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功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1442DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1442DH-T1-GE3
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功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1442DH-T1-GE3
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ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：1.56W€2.8W
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栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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