采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：110nC@5V
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
连续漏极电流：8.2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：110nC@5V
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
连续漏极电流：8.2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
