品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:8A
类型:P沟道
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
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输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
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输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
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输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
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漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
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ECCN:EAR99
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类型:P沟道
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漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413ADJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
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连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1V@250µA
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输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413ADJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413ADJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413ADJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413ADJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413ADJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413ADJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: