品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:900mV@400µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: