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    品牌: VISHAY
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订18个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订18个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

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    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

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    类型:N沟道

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    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订18个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

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    类型:N沟道

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    漏源电压:12V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

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    栅极电荷:0.71nC@4.5V

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    输入电容:21pF@6V

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    类型:N沟道

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    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订21000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订21000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

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    输入电容:21pF@6V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

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    输入电容:21pF@6V

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    ECCN:EAR99

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

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    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订30000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订30000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订75000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订75000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

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    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

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    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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