品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8806DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:80nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@6V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@29A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:600mV@250µA
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1442DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1442DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1442DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:600mV@250µA
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4866DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:600mV@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1442DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:600mV@250µA
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8806DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1442DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4866DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:600mV@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: