品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:5A€6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:93nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@6V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA447DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:80nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@6V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@6V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423DQ-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.05W
阈值电压:800mV@400µA
栅极电荷:110nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2970pF@6V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:65nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@6V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:5A€6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2970pF@6V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@6V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:65nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.05W
阈值电压:800mV@400µA
栅极电荷:110nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@6V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.05W
阈值电压:800mV@400µA
栅极电荷:110nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA447DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:80nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@6V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: