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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-GE3
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功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
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连续漏极电流：3A
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连续漏极电流：4.1A
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连续漏极电流：4.1A
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功率：750mW
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输入电容：1100pF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
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阈值电压：900mV@250µA
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连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
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类型：P沟道
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输入电容：1100pF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
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