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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA533EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA910EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA533EDJ-T1-GE3
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功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：SIA527DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA533EDJ-T1-GE3
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功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
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阈值电压：1V@250µA
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输入电容：455pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
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功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
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功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：455pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
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规格型号(MPN)：SIA910EDJ-T1-GE3
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功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：12V
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功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：SIA910EDJ-T1-GE3
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功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA975DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：41mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA533EDJ-T1-GE3
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功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：420pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：SIA527DJ-T1-GE3
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功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA527DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA533EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：SIA910EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA527DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA910EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA910EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA910EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA975DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：41mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA910EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA910EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA527DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA533EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA975DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：41mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA527DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA527DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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