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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1965DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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连续漏极电流：1.3A
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规格型号(MPN)：SIUD412ED-T1-GE3
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功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.71nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@6V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
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连续漏极电流：1.3A
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连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
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规格型号(MPN)：SI1965DH-T1-GE3
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功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：120pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD412ED-T1-GE3
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功率：1.25W
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
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