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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8457DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：93nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@6V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4800BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4800BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4800BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6415DQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7326DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8457DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：93nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@6V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6415DQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4800BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4800BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7326DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6415DQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4800BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8457DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：93nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@6V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
