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    品牌: VISHAY
    工作温度: -55℃~150℃
    连续漏极电流: 6.3A
    当前匹配商品:70+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943BDY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943BDY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@50V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@50V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订22个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订22个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订12000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订12000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@50V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@50V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@50V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943BDY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943BDY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@50V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订13个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订13个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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