品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4943BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:19mΩ@8.4A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@50V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@50V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@50V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@50V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@50V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4943BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:19mΩ@8.4A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@50V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: