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    品牌: VISHAY
    工作温度: -55℃~150℃
    连续漏极电流: 28A
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4842BDY-T1-E3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4842BDY-T1-E3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4842BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3650pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB28N60EF-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB28N60EF-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB28N60EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2714pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB28N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB28N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB28N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2714pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4842BDY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4842BDY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4842BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3650pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP28N65EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP28N65EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP28N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:146nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3249pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@14A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

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    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS892ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS892ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS892ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB28N60EF-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB28N60EF-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB28N60EF-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2714pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS892ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS892ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS892ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP28N65EF-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP28N65EF-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP28N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:146nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3249pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@14A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469DP-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4842BDY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4842BDY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4842BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3650pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7489DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7489DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7148DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7148DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7148DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@35V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@15A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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