品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA96DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ902DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W€66W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1840pF@6V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1840pF@6V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ902DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W€66W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA96DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:26.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ902DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W€66W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA96DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:26.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ902DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W€66W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7812DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@35V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@7.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: