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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60ET1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60ET1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60ET1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
