采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG80N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：400nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6600pF@100V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@40A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
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规格型号(MPN)：SIHG80N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：400nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6600pF@100V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@40A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：182nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9400pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：69.4W
阈值电压：2.4V@250µA
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SIHG80N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：400nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6600pF@100V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@40A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：SIJ438DP-T1-GE3
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功率：69.4W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：182nC@10V
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输入电容：9400pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
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工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：2.4V@250µA
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ438DP-T1-GE3
连续漏极电流：80A
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工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
功率：69.4W
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
输入电容：9400pF@20V
栅极电荷：182nC@10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ438DP-T1-GE3
连续漏极电流：80A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
功率：69.4W
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
输入电容：9400pF@20V
栅极电荷：182nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG80N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：443nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6900pF@100V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG80N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：443nC@10V
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连续漏极电流：80A
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漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG80N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
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栅极电荷：443nC@10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG80N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：443nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6900pF@100V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG80N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：443nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6900pF@100V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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