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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP054N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3769pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7848BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7848BDP-T1-GE3
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功率：4.2W€36W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
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功率：278W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
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连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
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功率：278W
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输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHP054N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3769pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
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ECCN：EAR99
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功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
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连续漏极电流：47A
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规格型号(MPN)：SI7848BDP-T1-GE3
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功率：4.2W€36W
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类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
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栅极电荷：50nC@10V
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连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SIHP054N65E-GE3
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功率：312W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@20V
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输入电容：3769pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
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功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
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连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
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功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
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输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：SI7848BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€36W
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连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7848BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7848BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：3V@250µA
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类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
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行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
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规格型号(MPN)：SI7848BDP-T1-E3
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功率：4.2W€36W
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类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI7848BDP-T1-E3
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功率：4.2W€36W
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栅极电荷：50nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
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输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
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ECCN：EAR99
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输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4685pF@100V
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类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3769pF@100V
连续漏极电流：47A
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导通电阻：58mΩ@20A，10V
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