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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SUD08P06-155L-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€20.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
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功率：1.05W
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规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-E3
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类型：P沟道
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功率：1.7W€20.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
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规格型号(MPN)：SUD08P06-155L-BE3
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功率：1.7W€20.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
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功率：1.05W
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栅极电荷：110nC@5V
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规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-BE3
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连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-BE3
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功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
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导通电阻：155mΩ@5A，10V
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输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@5A，10V
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