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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG11N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:804pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840ALPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840ALPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840ALPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1018pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG11N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:804pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473CDV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473CDV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2010pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840LCLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840LCLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840LCLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4804CDY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4804CDY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4804CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD11N80AE-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD11N80AE-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD11N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:804pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4904DY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4904DY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4904DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2390pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840LCPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840LCPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840LCPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493DDV-T1-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493DDV-T1-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3493DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1825pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493DDV-T1-GE3 起订20个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493DDV-T1-GE3 起订20个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3493DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1825pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€2.97W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840ASTRLPBF 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840ASTRLPBF 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1018pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473CDV-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473CDV-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:65nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2010pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€2.97W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:43.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473DDV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3424CDV-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3424CDV-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473CDV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3473CDV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:65nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2010pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3407DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3417DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3417DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3417DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25.2mΩ@7.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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