品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3429EDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4085pF@50V
连续漏极电流:8A€8A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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功率:4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:118nC@10V
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输入电容:4085pF@50V
连续漏极电流:8A€8A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
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功率:4.2W
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栅极电荷:118nC@10V
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输入电容:4085pF@50V
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类型:P沟道
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功率:4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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功率:4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:8A€8A
类型:P沟道
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导通电阻:21mΩ@4A,4.5V
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导通电阻:21mΩ@4A,4.5V
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类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@4A,4.5V
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销售单位:个
规格型号(MPN):SI3429EDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8A€8A
输入电容:4085pF@50V
导通电阻:21mΩ@4A,4.5V
栅极电荷:118nC@10V
类型:P沟道
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