品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD4N80E-GE3
功率:69W
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:622pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:1.27Ω@2A,10V
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60EF-GE3
导通电阻:98mΩ@16.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:33A
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
漏源电压:600V
输入电容:3454pF@100V
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N50E-GE3
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
栅极电荷:66nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:14.5A
导通电阻:280mΩ@7.5A,10V
输入电容:1162pF@100V
阈值电压:4V@250µA
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD310PBF
输入电容:170pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:3.6Ω@210mA,10V
功率:1W
包装方式:散装
连续漏极电流:350mA
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF640PBF
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:散装
输入电容:1300pF@25V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB12N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:380mΩ@6A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:147W
栅极电荷:58nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装方式:散装
输入电容:937pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF640PBF
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:散装
输入电容:1300pF@25V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD420PBF
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:360pF@25V
导通电阻:3Ω@220mA,10V
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:1W
包装方式:散装
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:370mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
功率:1W
包装方式:散装
连续漏极电流:600mA
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB12N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:380mΩ@6A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:147W
栅极电荷:58nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装方式:散装
输入电容:937pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD420PBF
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:360pF@25V
导通电阻:3Ω@220mA,10V
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:1W
包装方式:散装
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:370mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD4N80E-GE3
功率:69W
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:622pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:1.27Ω@2A,10V
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF640PBF
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:散装
输入电容:1300pF@25V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
功率:1W
包装方式:散装
连续漏极电流:600mA
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB20N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1640pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1562pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD7N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:散装
输入电容:680pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD220PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:散装
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@480mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD4N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:622pF@100V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.27Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD020PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.4A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD020PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.4A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1162pF@100V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD020PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:散装
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.4A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD7N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:散装
输入电容:680pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD4N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:622pF@100V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.27Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: