品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHB24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
输入电容:2740pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
栅极电荷:122nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SiHB28N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:28A
功率:250W
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
输入电容:2714pF@100V
栅极电荷:120nC@10V
导通电阻:123mΩ@14A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHP068N60EF-GE3
输入电容:2628pF@100V
导通电阻:68mΩ@16A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
功率:250W
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
漏源电压:600V
连续漏极电流:41A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP28N65E-GE3
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
类型:N沟道
栅极电荷:140nC@10V
输入电容:3405pF@100V
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:112mΩ@14A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
输入电容:2740pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
栅极电荷:122nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHP065N60E-GE3
输入电容:2700pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
功率:250W
类型:N沟道
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):SIHG30N60E-GE3
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHB28N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:28A
功率:250W
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
输入电容:2714pF@100V
栅极电荷:120nC@10V
导通电阻:123mΩ@14A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):SIHG20N50C-E3
连续漏极电流:20A
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:76nC@10V
阈值电压:5V@250µA
导通电阻:270mΩ@10A,10V
功率:250W
输入电容:2942pF@25V
类型:N沟道
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFB13N50APBF
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:81nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
输入电容:1910pF@25V
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
导通电阻:450mΩ@8.4A,10V
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):SIHG24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
输入电容:2740pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
栅极电荷:122nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHP35N60EF-GE3
连续漏极电流:32A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2568pF@100V
功率:250W
类型:N沟道
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:97mΩ@17A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
类型:N沟道
漏源电压:650V
输入电容:2774pF@100V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
导通电阻:156mΩ@12A,10V
栅极电荷:122nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHP35N60EF-GE3
连续漏极电流:32A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2568pF@100V
功率:250W
类型:N沟道
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:97mΩ@17A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB28N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2714pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB28N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2714pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG25N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2774pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG16N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP28N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3405pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:112mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG20N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2942pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG30N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG068N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2628pF@100V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP28N65EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3249pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: