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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7155DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：330nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12900pF@20V
连续漏极电流：31A€100A
类型：P沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：19.7A
类型：P沟道
导通电阻：9.8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
导通电阻：64mΩ@5A，10V
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610K-T1-GE3
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：1.7nC@15V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：60V
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：185mA
类型：P沟道
阈值电压：3V@250µA
导通电阻：6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-BE3
功率：2W€3.3W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：60V
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
连续漏极电流：2.2A€2.9A
输入电容：350pF@30V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343DS-T1-BE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.1A
导通电阻：53mΩ@4A，10V
栅极电荷：21nC@10V
类型：P沟道
输入电容：540pF@15V
功率：750mW
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
漏源电压：60V
类型：P沟道
连续漏极电流：4.7A
输入电容：600pF@30V
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：60V
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
类型：P沟道
连续漏极电流：1.6A
功率：1W€1.7W
输入电容：210pF@30V
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL9014TRPBF
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：500mΩ@1.1A，10V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：60V
输入电容：270pF@25V
栅极电荷：12nC@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
功率：2W€3.1W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463BDY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.8A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：56nC@4.5V
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：11mΩ@13.7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9120TRLPBF-BE3
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：390pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：600mΩ@3.4A，10V
功率：2.5W€42W
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：5.6A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
输入电容：960pF@4V
栅极电荷：30nC@8V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
功率：960mW€1.7W
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3
阈值电压：1.2V@250µA
输入电容：5590pF@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
栅极电荷：181nC@10V
类型：P沟道
功率：52W
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
功率：2W€3.3W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.9A
漏源电压：60V
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
输入电容：350pF@30V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA471DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：27.8nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：14mΩ@10A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
功率：3.5W€19.2W
连续漏极电流：12.9A€30.3A
类型：P沟道
ECCN：EAR99
输入电容：1170pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA477EDJ-T1-GE3
输入电容：2970pF@6V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：87nC@8V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7155DP-T1-GE3
栅极电荷：330nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：31A€100A
功率：6.25W€104W
类型：P沟道
输入电容：12900pF@20V
阈值电压：2.3V@250µA
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
漏源电压：30V
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：155pF@15V
功率：1W€2.3W
类型：P沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-E3
输入电容：1006pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：38nC@10V
阈值电压：2.5V@250µA
导通电阻：32mΩ@7A，10V
类型：P沟道
功率：4.2W
连续漏极电流：9A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-GE3
栅极电荷：65nC@10V
功率：2.5W€5.6W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：18mΩ@10A，10V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
输入电容：1960pF@15V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：1400pF@15V
栅极电荷：45nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
功率：3.1W€31W
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-BE3
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：5A€6A
类型：P沟道
漏源电压：12V
栅极电荷：35nC@8V
阈值电压：1V@250µA
功率：1.2W€1.7W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1350pF@15V
栅极电荷：50nC@10V
连续漏极电流：11.4A
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
类型：P沟道
功率：2.5W€5W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024TRPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：8.8A
漏源电压：60V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.5W€42W
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：570pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3407DV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
功率：4.2W
栅极电荷：63nC@10V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-E3
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3457CDV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5.1A
功率：2W€3W
类型：P沟道
栅极电荷：15nC@10V
阈值电压：3V@250µA
导通电阻：74mΩ@4.1A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
