品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7101DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:102nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:59nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
输入电容:1800pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS427EDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:1930pF@15V
功率:3.7W€52W
导通电阻:10.6mΩ@11A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:59nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
输入电容:1800pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7629DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
栅极电荷:177nC@10V
输入电容:5790pF@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615DN-T1-GE3
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:6000pF@10V
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9.4mΩ@15A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
功率:3.7W€52W
ECCN:EAR99
输入电容:4280pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH101DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:102nC@10V
类型:P沟道
功率:3.7W€52W
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:16.9A€35A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615DN-T1-GE3
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:6000pF@10V
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:59nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
输入电容:1800pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7625DN-T1-GE3
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:7mΩ@15A,10V
输入电容:4427pF@15V
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.7W€52W
输入电容:3490pF@15V
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
连续漏极电流:22.4A€60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:4370pF@20V
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
栅极电荷:135nC@10V
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si7617DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:59nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
ECCN:EAR99
输入电容:1800pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615DN-T1-GE3
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:6000pF@10V
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:4370pF@20V
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
栅极电荷:135nC@10V
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7629DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
栅极电荷:177nC@10V
输入电容:5790pF@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH617DN-T1-GE3
连续漏极电流:13.9A€35A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:59nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
功率:3.7W€52W
输入电容:1800pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:4370pF@20V
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
栅极电荷:135nC@10V
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9.4mΩ@15A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
功率:3.7W€52W
ECCN:EAR99
输入电容:4280pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si7617DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:59nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
ECCN:EAR99
输入电容:1800pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:59nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
ECCN:EAR99
输入电容:1800pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS427EDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:1930pF@15V
功率:3.7W€52W
导通电阻:10.6mΩ@11A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: