品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5948DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:82mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4904DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7288DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4288DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@20V
连续漏极电流:9.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4904DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4288DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@20V
连续漏极电流:9.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4288DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@20V
连续漏极电流:9.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7288DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4288DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@20V
连续漏极电流:9.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4904DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7288DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4904DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7288DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7288DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4904DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7288DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4288DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@20V
连续漏极电流:9.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4288DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@20V
连续漏极电流:9.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7288DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7288DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7288DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: