品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI7212DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7922DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7922DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
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规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7922DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7922DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7922DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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