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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-E3
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
漏源电压：20V
类型：N沟道
栅极电荷：30nC@4.5V
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-E3
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
漏源电压：20V
类型：N沟道
栅极电荷：30nC@4.5V
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：21nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
漏源电压：20V
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7414DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
导通电阻：25mΩ@8.7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-E3
连续漏极电流：3.4A
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流：12.5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
栅极电荷：27nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流：12.5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：27nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-E3
栅极电荷：23nC@4.5V
连续漏极电流：10.5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7818DN-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：2.2A
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848DY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
漏源电压：150V
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7326DN-T1-GE3
阈值电压：1.8V@250µA
导通电阻：19.5mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：13nC@5V
功率：1.5W
类型：N沟道
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7818DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：2.2A
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7414DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
导通电阻：25mΩ@8.7A，10V
栅极电荷：25nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-GE3
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
漏源电压：20V
类型：N沟道
栅极电荷：30nC@4.5V
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS406DN-T1-GE3
导通电阻：11mΩ@12A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：28nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：9A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH108DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
栅极电荷：30nC@4.5V
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：14A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：21nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
漏源电压：20V
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7114DN-T1-E3
连续漏极电流：11.7A
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：7.5mΩ@18.3A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7326DN-T1-GE3
阈值电压：1.8V@250µA
导通电阻：19.5mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：13nC@5V
功率：1.5W
类型：N沟道
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7818DN-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：2.2A
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-E3
连续漏极电流：3.4A
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4464DY-T1-E3
栅极电荷：18nC@10V
导通电阻：240mΩ@2.2A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7414DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
导通电阻：25mΩ@8.7A，10V
栅极电荷：25nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流：12.5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
栅极电荷：27nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7326DN-T1-GE3
阈值电压：1.8V@250µA
导通电阻：19.5mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：13nC@5V
功率：1.5W
类型：N沟道
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7110DN-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：21nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
漏源电压：20V
导通电阻：5.3mΩ@21.1A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7114DN-T1-E3
连续漏极电流：11.7A
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：7.5mΩ@18.3A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
类型：N沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7106DN-T1-E3
连续漏极电流：12.5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：27nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@19.5A，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-E3
连续漏极电流：3.4A
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-GE3
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
漏源电压：20V
类型：N沟道
栅极电荷：30nC@4.5V
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
