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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7232DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
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功率：23W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SI7232DN-T1-GE3
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功率：23W
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输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.4mΩ@10A，4.5V
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连续漏极电流：25A
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导通电阻：16.4mΩ@10A，4.5V
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
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功率：23W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@20V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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功率：23W
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输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
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功率：23W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：34A
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导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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功率：23W
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规格型号(MPN)：SISB46DN-T1-GE3
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功率：23W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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功率：23W
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：1220pF@10V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.4mΩ@10A，4.5V
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连续漏极电流：34A
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ECCN：EAR99
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.71mΩ@5A，10V
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导通电阻：16.4mΩ@10A，4.5V
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