品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4932DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4932DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4932DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
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漏源电压:30V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4932DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4932DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4932DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
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输入电容:1750pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4932DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:8A
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漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4932DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
输入电容:2000pF@20V
导通电阻:27mΩ@8A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:2000pF@20V
导通电阻:27mΩ@8A,10V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4932DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@7A,10V
输入电容:1750pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: