品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB20N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1640pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB20N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1640pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1640pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHB20N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1640pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
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