采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA413DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA413DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA413DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA413DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA413DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA413DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA413DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA413DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA413DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA413DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA413DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA413DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA413DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA413DJ-T1-GE3
导通电阻：29mΩ@6.7A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：57nC@8V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
功率：3.5W€19W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA429DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
