采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：16.2A€40.5A
栅极电荷：25.5nC@10V
功率：3.2W€19.8W
ECCN：EAR99
输入电容：985pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
