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    品牌: VISHAY
    工作温度: -55℃~150℃
    功率: 3.2W€19.8W
    栅极电荷: 21.5nC@10V
    当前匹配商品:40+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:38.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:38.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:38.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:15.3A€38.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

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    类型:N沟道

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

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    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订14个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订14个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:38.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

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    输入电容:1000pF@15V

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    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@10V

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

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    栅极电荷:21.5nC@10V

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

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    类型:N沟道

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:15.3A€38.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

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    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:15.3A€38.3A

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    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

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    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

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    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

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    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3

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    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@10V

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    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:15.3A€38.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订500个装
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    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:38.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:38.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:38.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:15.3A€38.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:15.3A€38.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:1000pF@15V

    功率:3.2W€19.8W

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    栅极电荷:21.5nC@10V

    连续漏极电流:38.3A

    包装清单:商品主体 * 1

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