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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7309DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
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ECCN：EAR99
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输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
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输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
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导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
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输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
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导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
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功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SI7317DN-T1-GE3
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阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
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输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
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输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：9.8nC@10V
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输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
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阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：8A
类型：P沟道
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输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SI7317DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7317DN-T1-GE3
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功率：3.2W€19.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
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规格型号(MPN)：SI7317DN-T1-GE3
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阈值电压：4.5V@250µA
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栅极电荷：9.8nC@10V
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输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7309DN-T1-E3
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功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7309DN-T1-GE3
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功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：9.8nC@10V
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输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
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漏源电压：150V
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功率：3.2W€19.8W
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栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
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功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
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连续漏极电流：8A
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ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
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连续漏极电流：8A
类型：P沟道
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连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
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连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：365pF@75V
连续漏极电流：2.8A
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导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
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