品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF00DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@75V
连续漏极电流:36.8A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF00DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF00DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@75V
连续漏极电流:36.8A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF00DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@75V
连续漏极电流:36.8A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF00DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@75V
连续漏极电流:36.8A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@75V
连续漏极电流:36.8A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF00DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF00DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@75V
连续漏极电流:36.8A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@75V
连续漏极电流:36.8A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: