品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
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输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
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ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
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导通电阻:10mΩ@8A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
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输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
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连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3
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功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
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连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@4.6A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,4.5V
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规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3
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功率:3.1W€31W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
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连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
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栅极电荷:30nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
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栅极电荷:30nC@10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
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类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
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类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
输入电容:1100pF@30V
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功率:3.1W€31W
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1350pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V
功率:3.1W€31W
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
输入电容:1100pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.1W€31W
导通电阻:34mΩ@4.6A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
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