品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€17.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€17.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA483ADJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€17.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:10.6A€12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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类型:P沟道
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行业应用:工业,汽车
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功率:3.4W€17.9W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:10.6A€12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
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ECCN:EAR99
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类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
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ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
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输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:10.6A€12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
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类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
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栅极电荷:45nC@8V
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输入电容:1300pF@10V
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类型:P沟道
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类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
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ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
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输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:10.6A€12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
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功率:3.4W€17.9W
阈值电压:1V@250µA
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连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V
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类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
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类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
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连续漏极电流:10.6A€12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
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导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
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功率:3.4W€17.9W
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连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€17.9W
阈值电压:1V@250µA
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输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIA483ADJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€17.9W
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ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:10.6A€12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA483ADJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€17.9W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
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类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€17.9W
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:3.4W€17.9W
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€17.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:45nC@8V
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类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA483ADJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€17.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:10.6A€12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA483ADJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€17.9W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:10.6A€12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3
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功率:3.4W€17.9W
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA483ADJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€17.9W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:10.6A€12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
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阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA483ADJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€17.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:10.6A€12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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