品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
连续漏极电流:7.2A€26.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
栅极电荷:15nC@10V
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:770pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5710DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@75V
连续漏极电流:7.2A€26.2A
类型:N沟道
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: