品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@4V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@4V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@10V
连续漏极电流:3.06A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@1.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:16nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@10V
连续漏极电流:3.06A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@1.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@10V
连续漏极电流:3.06A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@1.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@4V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@10V
连续漏极电流:3.06A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@1.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@10V
连续漏极电流:3.06A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@1.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@4V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@10V
连续漏极电流:3.06A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@1.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@10V
连续漏极电流:3.06A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@1.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@10V
连续漏极电流:3.06A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@1.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@10V
连续漏极电流:3.06A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@1.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@10V
连续漏极电流:3.06A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@1.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:8V
ECCN:EAR99
输入电容:710pF@4V
导通电阻:43mΩ@2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
功率:780mW€1.8W
类型:N沟道
连续漏极电流:3.8A
栅极电荷:16nC@8V
导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:620pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@4V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:16nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:16nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@4V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@4V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@4V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存: