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    品牌: VISHAY
    工作温度: -55℃~150℃
    功率: 780mW€1.8W
    当前匹配商品:30+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8466EDB-T2-E1 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8466EDB-T2-E1 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@4V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8466EDB-T2-E1 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@4V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8489EDB-T2-E1 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

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    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:765pF@10V

    连续漏极电流:3.06A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订6000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:16nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8489EDB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8489EDB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8489EDB-T2-E1 起订5个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8466EDB-T2-E1 起订4个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@4V

    连续漏极电流:3.6A

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8489EDB-T2-E1 起订5个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:3.06A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@8V

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    输入电容:620pF@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8489EDB-T2-E1 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@8V

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    输入电容:620pF@10V

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8466EDB-T2-E1 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@4V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8489EDB-T2-E1 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:1.2V@250µA

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8489EDB-T2-E1 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

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    输入电容:765pF@10V

    连续漏极电流:3.06A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@1.5A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8489EDB-T2-E1 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:1.2V@250µA

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    输入电容:765pF@10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8489EDB-T2-E1 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:765pF@10V

    连续漏极电流:3.06A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8489EDB-T2-E1 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8489EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:765pF@10V

    连续漏极电流:3.06A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8466EDB-T2-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8466EDB-T2-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    类型:N沟道

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    连续漏极电流:3.6A

    漏源电压:8V

    ECCN:EAR99

    输入电容:710pF@4V

    导通电阻:43mΩ@2A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:850mV@250µA

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    类型:N沟道

    连续漏极电流:3.8A

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    导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V

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    输入电容:620pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订2个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订3000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8466EDB-T2-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8466EDB-T2-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@4V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:16nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8410DB-T2-E1 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:16nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8466EDB-T2-E1 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@4V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@4V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@2A,4.5V

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