品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR890DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€50W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2747pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR468DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR468DP-T1-GE3
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5.7mΩ@20A,10V
类型:N沟道
输入电容:1720pF@15V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:40A
功率:5W€50W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR890DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€50W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2747pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR890DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€50W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2747pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR468DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR468DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: