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    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS178LDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS178LDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS178LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:28.5nC@10V

    输入电容:1.135nF@35V

    连续漏极电流:13.9A€45.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW€510mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA€340mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.4Ω@340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS178LDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS178LDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS178LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:28.5nC@10V

    输入电容:1.135nF@35V

    连续漏极电流:13.9A€45.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS890ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS890ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS890ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W€3.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:29nC@10V

    输入电容:1.33nF@50V

    连续漏极电流:24.7A€7.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS890ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS890ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS890ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W€3.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:29nC@10V

    输入电容:1.33nF@50V

    连续漏极电流:24.7A€7.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:17.9W€3.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:26nC@10V

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:12A€10.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW€510mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA€340mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.4Ω@340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:17.9W€3.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:26nC@10V

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:12A€10.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订数15个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订数15个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS128LDN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS128LDN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.25nF@40V

    连续漏极电流:10.2A€33.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS128LDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS128LDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.25nF@40V

    连续漏极电流:10.2A€33.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS178LDN-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS178LDN-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS178LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:28.5nC@10V

    输入电容:1.135nF@35V

    连续漏极电流:13.9A€45.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS128LDN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS128LDN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.25nF@40V

    连续漏极电流:10.2A€33.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS178LDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS178LDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS178LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:28.5nC@10V

    输入电容:1.135nF@35V

    连续漏极电流:13.9A€45.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS890ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS890ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS890ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:39W€3.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:29nC@10V

    输入电容:1.33nF@50V

    连续漏极电流:24.7A€7.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订数1200个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订数1200个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@10V,3.8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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