品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
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导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
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导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
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连续漏极电流:19A€40A
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导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
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导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
输入电容:680pF@15V
栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
阈值电压:2.4V@250μA
功率:3.8W€17W
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连续漏极电流:19A€40A
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包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
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栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
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功率:3.8W€17W
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连续漏极电流:19A€40A
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类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
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类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:12.2nC@10V€27.9nC@10V
输入电容:1.29nF@15V€580pF@15V
连续漏极电流:25.4A€69.7A€33.4A€15.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10A,10V€4.29mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:12.2nC@10V€27.9nC@10V
输入电容:1.29nF@15V€580pF@15V
连续漏极电流:25.4A€69.7A€33.4A€15.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10A,10V€4.29mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:21.5nC@10V
输入电容:1nF@15V
连续漏极电流:38.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10V,10A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:21.5nC@10V
输入电容:1nF@15V
连续漏极电流:38.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10V,10A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W€54W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.73nF@15V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W€54W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.73nF@15V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W€54W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.73nF@15V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W€54W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.73nF@15V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: