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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50N04-8M8P-4GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€48.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：14A€50A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50N04-8M8P-4GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€48.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：14A€50A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
阈值电压：2.3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：30.5A€60A
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
输入电容：2.65nF@10V
栅极电荷：56nC@10V
漏源电压：25V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，11.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，11.7A
漏源电压：30V
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销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，11.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，11.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
阈值电压：2.3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：30.5A€60A
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
输入电容：2.65nF@10V
栅极电荷：56nC@10V
漏源电压：25V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7423DN-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.4A
漏源电压：30V
导通电阻：18mΩ@10V，11.7A
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：56nC@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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