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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.35nF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.35nF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.35nF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N50E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N50E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4420BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@10V，7.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2nF@20V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，16A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@10V，7.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N50E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2nF@20V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，16A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@10V，7.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N50E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@10V，7.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N50E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N50E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2nF@20V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，16A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：9mΩ@10V，16A
输入电容：2nF@20V
连续漏极电流：47A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
栅极电荷：50nC@10V
功率：4.2W€36W
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：25mΩ@10V，7.1A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：5.3A
类型：2个P沟道
功率：1.1W
栅极电荷：50nC@10V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.35nF@15V
连续漏极电流：11.4A
阈值电压：3V@250μA
导通电阻：24mΩ@10V，9.1A
功率：2.5W€5W
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
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