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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2332
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@20V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@10V，4.3A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS443DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
输入电容：4.37nF@20V
导通电阻：11.7mΩ@10V，15A
阈值电压：2.3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：35A
功率：3.7W€52W
栅极电荷：135nC@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2332
规格型号(MPN)：SI2318CDS-T1-GE3
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
导通电阻：42mΩ@10V，4.3A
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：5.6A
输入电容：340pF@20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
