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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA22DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：83nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：201A
类型：MOSFET
导通电阻：740μΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
阈值电压：2.3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：30.5A€60A
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
输入电容：2.65nF@10V
栅极电荷：56nC@10V
漏源电压：25V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA22DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：83nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：201A
类型：MOSFET
导通电阻：740μΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA22DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：83nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：201A
类型：MOSFET
导通电阻：740μΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
阈值电压：2.3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：30.5A€60A
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
输入电容：2.65nF@10V
栅极电荷：56nC@10V
漏源电压：25V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIJA22DP-T1-GE3
连续漏极电流：201A
包装方式：Reel
功率：48W
漏源电压：25V
栅极电荷：83nC
阈值电压：2.2V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：MOSFET
导通电阻：740μΩ
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.65nF@10V
连续漏极电流：30.5A€60A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
