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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA14N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.205nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA14N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.205nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
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功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
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功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
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连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH250N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：915pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
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功率：156W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
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连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
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规格型号(MPN)：SIHP15N80AEF-GE3
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功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHA14N60E-GE3
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功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.205nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
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品牌：VISHAY
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.128nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA14N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.205nF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
输入电容：1.96nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH250N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：915pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
输入电容：1.96nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH250N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：915pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH250N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：915pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH250N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：915pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH250N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：915pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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