采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.35nF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.35nF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.35nF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840ASTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1018pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP11N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：78W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：391mΩ
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP11N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：78W
阈值电压：4V
栅极电荷：28nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：391mΩ
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP11N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：78W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：391mΩ
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP11N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：78W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：391mΩ
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP11N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：78W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：391mΩ
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP11N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：78W
阈值电压：4V
栅极电荷：28nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：391mΩ
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP11N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：78W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：391mΩ
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.25W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：2.39nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840ASTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1018pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：1.018nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个N沟道
导通电阻：18mΩ@4.5V，8.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.25W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：2.39nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.25W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：2.39nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.25W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：2.39nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个N沟道
导通电阻：18mΩ@4.5V，8.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：500V
阈值电压：4V@250μA
功率：125W
连续漏极电流：8A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：63nC@10V
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
输入电容：1.3nF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：500V
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：8A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：125W€3.1W
栅极电荷：63nC@10V
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
输入电容：1.3nF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
